|
تفاصيل المنتج:
شروط الدفع والشحن:
|
| تسليط الضوء: | التحكم في العيوب مصدر الأشعة السينية,مصدر الأشعة السينية IGBT Microfocus,آلة الكشف مصدر الأشعة السينية,IGBT Microfocus X Ray Source,Detection Machine Microfocus X Ray Source |
||
|---|---|---|---|
المعيار الرئيسي:
أقصى طاقة الأنابيب: 60 واط
أقصى فولتاج الأنابيب: 150 كيلو فولت
زاوية الشعاع: 110±3°
الحد الأدنى لحجم البقعة: ≤7μm
التطبيقات:
حزمة الدوائر المتكاملة
بطارية الكهرباء
SMT، PCBA، التصنيع الإلكتروني
IGBT القالب / الوحدة
المواصفات:
| نطاق فولتاج الأنابيب | 40-150 كيلو فولت | ||
| نطاق تيار الأنابيب العاملة | 0-400 ميكرو أمبير | ||
| القوة القصوى للأنابيب | 60 واط | ||
|
< 150 واط | ||
| الجهد المدخل (DC) |
48±0.5 فولت
|
||
| مادة النافذة / سمكها | يكون/0.51ملم | ||
| قطر النافذة | 38ملم | ||
| زاوية الشعاع | 100±3 درجة | ||
| المادة المستهدفة |
التونغستين
|
||
| الوزن | حوالي 15 كجم | ||
| الـ FOD | 12±0.5 ملم | ||
| قفل آمن | الدائرة القصيرة الخارجية | ||
|
مستمرة
|
||
| اتصال التحكم | التحكم الرقمي |
صور الأشعة السينية:
البصمة:
اتصل شخص: Mr. James Lee
الهاتف :: +86-13502802495
الفاكس: +86-755-2665-0296
| عنوان المصنع:المبنى A ، مجمع Bangkai Science & Technology الصناعي ، رقم 9 Bangkai Road ، Hi-Tech Industrial Park ، مقاطعة Guangming ، Shenzhen | |
| مكتب المبيعات:المبنى A ، مجمع Bangkai Science & Technology الصناعي ، رقم 9 Bangkai Road ، Hi-Tech Industrial Park ، مقاطعة Guangming ، Shenzhen | |
| +86-755-8527-1589 | |
| marketing@unicomp.cn | |
